Léim chuig an ábhar
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Teanga
Gach réimse
Teideal
Údar
Ábhar
Gairmuimhir
ISBN/ISSN
Clib
AIMSIGH
CASTA
Electrical and structural anal...
Luaigh é seo
Seol mar théacs é seo
Seol é seo mar r-phost
Priontáil
Easpórtáil taifead
Easpórtáil chuig RefWorks
Easpórtáil chuig EndNoteWeb
Easpórtáil chuig EndNote
Buan-nasc
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoirí:
Zolper, J
,
Tan, H
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Pearton, S
,
Crawford, M
,
Karlicek, R
Formáid:
Journal article
Foilsithe / Cruthaithe:
1997
Stoc
Cur síos
Míreanna comhchosúla
Amharc foirne
Cur síos
Achoimre:
Míreanna comhchosúla
TEM investigations of Si ion-implanted GaN
de réir: Zou, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1998)
Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
de réir: Tan, H, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1996)
Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
de réir: Tan, H, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1996)
Annealing of ion implanted gallium nitride
de réir: Tan, H, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1998)
AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
de réir: Justinas Jorudas, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (2020-12-01)