Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Samankaltaisia teoksia

• TEM investigations of Si ion-implanted GaN
  Tekijä: Zou, J, et al.
  Julkaistu: (1998)
• Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
  Tekijä: Tan, H, et al.
  Julkaistu: (1996)
• Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
  Tekijä: Tan, H, et al.
  Julkaistu: (1996)
• Annealing of ion implanted gallium nitride
  Tekijä: Tan, H, et al.
  Julkaistu: (1998)
• AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
  Tekijä: Justinas Jorudas, et al.
  Julkaistu: (2020-12-01)