Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
Electrical and structural anal...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Zolper, J
,
Tan, H
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Pearton, S
,
Crawford, M
,
Karlicek, R
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
1997
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
TEM investigations of Si ion-implanted GaN
: Zou, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1998)
Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
: Tan, H, և այլն
Հրապարակվել է: (1996)
Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
: Tan, H, և այլն
Հրապարակվել է: (1996)
Annealing of ion implanted gallium nitride
: Tan, H, և այլն
Հրապարակվել է: (1998)
AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
: Justinas Jorudas, և այլն
Հրապարակվել է: (2020-12-01)