Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Схожі ресурси

• TEM investigations of Si ion-implanted GaN
  за авторством: Zou, J, та інші
  Опубліковано: (1998)
• Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
  за авторством: Tan, H, та інші
  Опубліковано: (1996)
• Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
  за авторством: Tan, H, та інші
  Опубліковано: (1996)
• Annealing of ion implanted gallium nitride
  за авторством: Tan, H, та інші
  Опубліковано: (1998)
• AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
  за авторством: Justinas Jorudas, та інші
  Опубліковано: (2020-12-01)