Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Zolper, J, Tan, H, Williams, J, Zou, J, Cockayne, D, Pearton, S, Crawford, M, Karlicek, R
Médium:	Journal article
Vydáno:	1997

Podobné jednotky

TEM investigations of Si ion-implanted GaN
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1998)

Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
Autor: Tan, H, a další
Vydáno: (1996)

Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
Autor: Tan, H, a další
Vydáno: (1996)

Annealing of ion implanted gallium nitride
Autor: Tan, H, a další
Vydáno: (1998)

AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
Autor: Justinas Jorudas, a další
Vydáno: (2020-12-01)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
Autor: Kyaw, Zabu, a další
Vydáno: (2014)

Control components using Si, GaAs, and GaN technologies /
Autor: 586251 Bahl, Inder J.
Vydáno: (2014)

Ion Implantation into Nonconventional GaN Structures
Autor: Katharina Lorenz
Vydáno: (2022-05-01)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
Autor: Sun, Xiaowei, a další
Vydáno: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
Autor: Zhang, Zi-Hui, a další
Vydáno: (2013)

The electrical properties of Au/GaN and PEDOT: PSS/GaN diodes
Autor: Ali Sadoun, a další
Vydáno: (2020-12-01)

Structural and electrical characterization of GaN based HEMT heterostructures on SiC
Autor: Protik Parvez Sheikh
Vydáno: (2017)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
Autor: Haruka Matsuura, a další
Vydáno: (2019-04-01)

Structural and electrical properties of thick κ-Ga2O3 grown on GaN/sapphire templates
Autor: A. Y. Polyakov, a další
Vydáno: (2022-06-01)

Effect of PECVD SiNx deposition process parameters on electrical properties of SiNx/AlGaN/GaN structures
Autor: Kira L. Enisherlova, a další
Vydáno: (2021-06-01)

Improved Performance of GaN-Based Ultraviolet LEDs with the Stair-like Si-Doping n-GaN Structure
Autor: Xiaomeng Fan, a další
Vydáno: (2021-10-01)

Effect of SiC substrate properties on structural perfection and electrical parameters of AlGaN/GaN layers
Autor: Kira L. Enisherlova, a další
Vydáno: (2017-03-01)

Leakage current in GaN-on-GaN vertical GaN SBDs grown by HVPE on native GaN substrates
Autor: Weiyi Jin, a další
Vydáno: (2024-09-01)

GaN Ring Oscillators Operational at 500 °C Based on a GaN-on-Si Platform
Autor: Yuan, Mengyang, a další
Vydáno: (2023)

Highly-Scaled Self-Aligned GaN Complementary Technology on a GaN-on-Si Platform
Autor: Xie, Qingyun, a další
Vydáno: (2023)

Effect of self-heating on electrical characteristics of AlGaN/ GaN HEMT on Si (111) substrate
Autor: Adarsh Nigam, a další
Vydáno: (2017-08-01)

Comparative Analysis of Defects in Mg-Implanted and Mg-Doped GaN Layers on Freestanding GaN Substrates
Autor: Ashutosh Kumar, a další
Vydáno: (2018-12-01)

Breakdown mechanism in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
Autor: Lu, Bin, a další
Vydáno: (2012)

50 nm DrGaN in 3D monolithic GaN MOSHEMT and Silicon PMOS process on 300 mm GaN-on-Si(111)
Autor: Han Wui Then, a další
Vydáno: (2025-03-01)

Breakdown Characteristics of GaN DMISFETs Fabricated via Mg, Si and N Triple Ion Implantation
Autor: Tohru Nakamura, a další
Vydáno: (2024-01-01)

Electrical characterization of GaN-based layer structures
Autor: Firdous Banu
Vydáno: (2011)

Analysis of electrical properties in lateral Schottky barrier diode based on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure
Autor: Honghui Liu, a další
Vydáno: (2022-11-01)

InGaN/GaN QWs on tetrahedral structures grown on graphene/SiC
Autor: Bosch, Julien, a další
Vydáno: (2023)

Resonant Raman Scattering in Boron-Implanted GaN
Autor: Yi Peng, a další
Vydáno: (2022-01-01)

Deep-level defects induced by implantations of Si and Mg ions into undoped epitaxial GaN
Autor: Paweł Kamiński, a další
Vydáno: (2024-06-01)

Tungsten-Gated GaN/AlGaN p -FET With I max > 120 mA/mm on GaN-on-Si
Autor: Chowdhury, Nadim, a další
Vydáno: (2022)

AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes on Free-Standing GaN Substrates With a Si Doped Barrier Layer
Autor: Taofei Pu, a další
Vydáno: (2022-01-01)

Performance of InGaN/GaN Light Emitting Diodes with n-GaN Layer Embedded with SiO2 Nano-Particles
Autor: Hong-Seo Yom, a další
Vydáno: (2018-09-01)

Seamless On-wafer integration of GaN HEMTs and Si(100) MOSFETs
Autor: Palacios, Tomas, a další
Vydáno: (2010)

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
Autor: Agrawal, M., a další
Vydáno: (2011)

GaN-on-Si: Monolithically Integrated All-GaN Drivers for High-Voltage DC-DC Power Conversion
Autor: Chin Hsia, a další
Vydáno: (2022-05-01)

Structural and electrical characterization of GaN based hetero-structures
Autor: Agarwal, Ananya
Vydáno: (2013)

Electrical and structural characterization of GaN-based transistor structures
Autor: Loo, Nicholas Yujun
Vydáno: (2016)

Improvement of the Thermal Performance of the GaN-on-Si Microwave High-Electron-Mobility Transistors by Introducing a GaN-on-Insulator Structure
Autor: Lu Hao, a další
Vydáno: (2024-12-01)

Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиально- доращиваемых контактных слоев GaN, n-GaN и n+-GaN
Autor: Павел Владимирович Середин, a další
Vydáno: (2024-10-01)