Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Бібліографічні деталі
Автори:	Zolper, J, Tan, H, Williams, J, Zou, J, Cockayne, D, Pearton, S, Crawford, M, Karlicek, R
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1997

Схожі ресурси

TEM investigations of Si ion-implanted GaN
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1998)

Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (1996)

Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (1996)

Annealing of ion implanted gallium nitride
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (1998)

AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
за авторством: Justinas Jorudas, та інші
Опубліковано: (2020-12-01)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Kyaw, Zabu, та інші
Опубліковано: (2014)

Control components using Si, GaAs, and GaN technologies /
за авторством: 586251 Bahl, Inder J.
Опубліковано: (2014)

Ion Implantation into Nonconventional GaN Structures
за авторством: Katharina Lorenz
Опубліковано: (2022-05-01)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
за авторством: Sun, Xiaowei, та інші
Опубліковано: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
за авторством: Zhang, Zi-Hui, та інші
Опубліковано: (2013)

The electrical properties of Au/GaN and PEDOT: PSS/GaN diodes
за авторством: Ali Sadoun, та інші
Опубліковано: (2020-12-01)

Structural and electrical characterization of GaN based HEMT heterostructures on SiC
за авторством: Protik Parvez Sheikh
Опубліковано: (2017)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
за авторством: Haruka Matsuura, та інші
Опубліковано: (2019-04-01)

Structural and electrical properties of thick κ-Ga2O3 grown on GaN/sapphire templates
за авторством: A. Y. Polyakov, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

Effect of PECVD SiNx deposition process parameters on electrical properties of SiNx/AlGaN/GaN structures
за авторством: Kira L. Enisherlova, та інші
Опубліковано: (2021-06-01)

Improved Performance of GaN-Based Ultraviolet LEDs with the Stair-like Si-Doping n-GaN Structure
за авторством: Xiaomeng Fan, та інші
Опубліковано: (2021-10-01)

Effect of SiC substrate properties on structural perfection and electrical parameters of AlGaN/GaN layers
за авторством: Kira L. Enisherlova, та інші
Опубліковано: (2017-03-01)

Leakage current in GaN-on-GaN vertical GaN SBDs grown by HVPE on native GaN substrates
за авторством: Weiyi Jin, та інші
Опубліковано: (2024-09-01)

GaN Ring Oscillators Operational at 500 °C Based on a GaN-on-Si Platform
за авторством: Yuan, Mengyang, та інші
Опубліковано: (2023)

Highly-Scaled Self-Aligned GaN Complementary Technology on a GaN-on-Si Platform
за авторством: Xie, Qingyun, та інші
Опубліковано: (2023)

Effect of self-heating on electrical characteristics of AlGaN/ GaN HEMT on Si (111) substrate
за авторством: Adarsh Nigam, та інші
Опубліковано: (2017-08-01)

Comparative Analysis of Defects in Mg-Implanted and Mg-Doped GaN Layers on Freestanding GaN Substrates
за авторством: Ashutosh Kumar, та інші
Опубліковано: (2018-12-01)

Breakdown mechanism in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
за авторством: Lu, Bin, та інші
Опубліковано: (2012)

50 nm DrGaN in 3D monolithic GaN MOSHEMT and Silicon PMOS process on 300 mm GaN-on-Si(111)
за авторством: Han Wui Then, та інші
Опубліковано: (2025-03-01)

Breakdown Characteristics of GaN DMISFETs Fabricated via Mg, Si and N Triple Ion Implantation
за авторством: Tohru Nakamura, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Electrical characterization of GaN-based layer structures
за авторством: Firdous Banu
Опубліковано: (2011)

Analysis of electrical properties in lateral Schottky barrier diode based on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: Honghui Liu, та інші
Опубліковано: (2022-11-01)

InGaN/GaN QWs on tetrahedral structures grown on graphene/SiC
за авторством: Bosch, Julien, та інші
Опубліковано: (2023)

Resonant Raman Scattering in Boron-Implanted GaN
за авторством: Yi Peng, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Deep-level defects induced by implantations of Si and Mg ions into undoped epitaxial GaN
за авторством: Paweł Kamiński, та інші
Опубліковано: (2024-06-01)

Tungsten-Gated GaN/AlGaN p -FET With I max > 120 mA/mm on GaN-on-Si
за авторством: Chowdhury, Nadim, та інші
Опубліковано: (2022)

AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes on Free-Standing GaN Substrates With a Si Doped Barrier Layer
за авторством: Taofei Pu, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Performance of InGaN/GaN Light Emitting Diodes with n-GaN Layer Embedded with SiO2 Nano-Particles
за авторством: Hong-Seo Yom, та інші
Опубліковано: (2018-09-01)

Seamless On-wafer integration of GaN HEMTs and Si(100) MOSFETs
за авторством: Palacios, Tomas, та інші
Опубліковано: (2010)

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
за авторством: Agrawal, M., та інші
Опубліковано: (2011)

GaN-on-Si: Monolithically Integrated All-GaN Drivers for High-Voltage DC-DC Power Conversion
за авторством: Chin Hsia, та інші
Опубліковано: (2022-05-01)

Structural and electrical characterization of GaN based hetero-structures
за авторством: Agarwal, Ananya
Опубліковано: (2013)

Electrical and structural characterization of GaN-based transistor structures
за авторством: Loo, Nicholas Yujun
Опубліковано: (2016)

Improvement of the Thermal Performance of the GaN-on-Si Microwave High-Electron-Mobility Transistors by Introducing a GaN-on-Insulator Structure
за авторством: Lu Hao, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиально- доращиваемых контактных слоев GaN, n-GaN и n+-GaN
за авторством: Павел Владимирович Середин, та інші
Опубліковано: (2024-10-01)