Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Zolper, J, Tan, H, Williams, J, Zou, J, Cockayne, D, Pearton, S, Crawford, M, Karlicek, R
Định dạng:	Journal article
Được phát hành:	1997

Những quyển sách tương tự

TEM investigations of Si ion-implanted GaN
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1998)

Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
Bằng: Tan, H, et al.
Được phát hành: (1996)

Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
Bằng: Tan, H, et al.
Được phát hành: (1996)

Annealing of ion implanted gallium nitride
Bằng: Tan, H, et al.
Được phát hành: (1998)

AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
Bằng: Justinas Jorudas, et al.
Được phát hành: (2020-12-01)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Kyaw, Zabu, et al.
Được phát hành: (2014)

Control components using Si, GaAs, and GaN technologies /
Bằng: 586251 Bahl, Inder J.
Được phát hành: (2014)

Ion Implantation into Nonconventional GaN Structures
Bằng: Katharina Lorenz
Được phát hành: (2022-05-01)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
Bằng: Sun, Xiaowei, et al.
Được phát hành: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2013)

The electrical properties of Au/GaN and PEDOT: PSS/GaN diodes
Bằng: Ali Sadoun, et al.
Được phát hành: (2020-12-01)

Structural and electrical characterization of GaN based HEMT heterostructures on SiC
Bằng: Protik Parvez Sheikh
Được phát hành: (2017)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
Bằng: Haruka Matsuura, et al.
Được phát hành: (2019-04-01)

Structural and electrical properties of thick κ-Ga2O3 grown on GaN/sapphire templates
Bằng: A. Y. Polyakov, et al.
Được phát hành: (2022-06-01)

Effect of PECVD SiNx deposition process parameters on electrical properties of SiNx/AlGaN/GaN structures
Bằng: Kira L. Enisherlova, et al.
Được phát hành: (2021-06-01)

Improved Performance of GaN-Based Ultraviolet LEDs with the Stair-like Si-Doping n-GaN Structure
Bằng: Xiaomeng Fan, et al.
Được phát hành: (2021-10-01)

Effect of SiC substrate properties on structural perfection and electrical parameters of AlGaN/GaN layers
Bằng: Kira L. Enisherlova, et al.
Được phát hành: (2017-03-01)

Leakage current in GaN-on-GaN vertical GaN SBDs grown by HVPE on native GaN substrates
Bằng: Weiyi Jin, et al.
Được phát hành: (2024-09-01)

GaN Ring Oscillators Operational at 500 °C Based on a GaN-on-Si Platform
Bằng: Yuan, Mengyang, et al.
Được phát hành: (2023)

Highly-Scaled Self-Aligned GaN Complementary Technology on a GaN-on-Si Platform
Bằng: Xie, Qingyun, et al.
Được phát hành: (2023)

Effect of self-heating on electrical characteristics of AlGaN/ GaN HEMT on Si (111) substrate
Bằng: Adarsh Nigam, et al.
Được phát hành: (2017-08-01)

Comparative Analysis of Defects in Mg-Implanted and Mg-Doped GaN Layers on Freestanding GaN Substrates
Bằng: Ashutosh Kumar, et al.
Được phát hành: (2018-12-01)

Breakdown mechanism in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
Bằng: Lu, Bin, et al.
Được phát hành: (2012)

50 nm DrGaN in 3D monolithic GaN MOSHEMT and Silicon PMOS process on 300 mm GaN-on-Si(111)
Bằng: Han Wui Then, et al.
Được phát hành: (2025-03-01)

Breakdown Characteristics of GaN DMISFETs Fabricated via Mg, Si and N Triple Ion Implantation
Bằng: Tohru Nakamura, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Electrical characterization of GaN-based layer structures
Bằng: Firdous Banu
Được phát hành: (2011)

Analysis of electrical properties in lateral Schottky barrier diode based on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure
Bằng: Honghui Liu, et al.
Được phát hành: (2022-11-01)

InGaN/GaN QWs on tetrahedral structures grown on graphene/SiC
Bằng: Bosch, Julien, et al.
Được phát hành: (2023)

Resonant Raman Scattering in Boron-Implanted GaN
Bằng: Yi Peng, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Deep-level defects induced by implantations of Si and Mg ions into undoped epitaxial GaN
Bằng: Paweł Kamiński, et al.
Được phát hành: (2024-06-01)

Tungsten-Gated GaN/AlGaN p -FET With I max > 120 mA/mm on GaN-on-Si
Bằng: Chowdhury, Nadim, et al.
Được phát hành: (2022)

AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes on Free-Standing GaN Substrates With a Si Doped Barrier Layer
Bằng: Taofei Pu, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Performance of InGaN/GaN Light Emitting Diodes with n-GaN Layer Embedded with SiO2 Nano-Particles
Bằng: Hong-Seo Yom, et al.
Được phát hành: (2018-09-01)

Seamless On-wafer integration of GaN HEMTs and Si(100) MOSFETs
Bằng: Palacios, Tomas, et al.
Được phát hành: (2010)

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
Bằng: Agrawal, M., et al.
Được phát hành: (2011)

GaN-on-Si: Monolithically Integrated All-GaN Drivers for High-Voltage DC-DC Power Conversion
Bằng: Chin Hsia, et al.
Được phát hành: (2022-05-01)

Structural and electrical characterization of GaN based hetero-structures
Bằng: Agarwal, Ananya
Được phát hành: (2013)

Electrical and structural characterization of GaN-based transistor structures
Bằng: Loo, Nicholas Yujun
Được phát hành: (2016)

Improvement of the Thermal Performance of the GaN-on-Si Microwave High-Electron-Mobility Transistors by Introducing a GaN-on-Insulator Structure
Bằng: Lu Hao, et al.
Được phát hành: (2024-12-01)

Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиально- доращиваемых контактных слоев GaN, n-GaN и n+-GaN
Bằng: Павел Владимирович Середин, et al.
Được phát hành: (2024-10-01)