Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
Electrical and structural anal...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
導出完成 —
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Zolper, J
,
Tan, H
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Pearton, S
,
Crawford, M
,
Karlicek, R
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
1997
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
TEM investigations of Si ion-implanted GaN
מאת: Zou, J, et al.
יצא לאור: (1998)
Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
מאת: Tan, H, et al.
יצא לאור: (1996)
Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
מאת: Tan, H, et al.
יצא לאור: (1996)
Annealing of ion implanted gallium nitride
מאת: Tan, H, et al.
יצא לאור: (1998)
AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
מאת: Justinas Jorudas, et al.
יצא לאור: (2020-12-01)