İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
Electrical and structural anal...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Zolper, J
,
Tan, H
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Pearton, S
,
Crawford, M
,
Karlicek, R
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
1997
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
TEM investigations of Si ion-implanted GaN
Yazar:: Zou, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)
Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
Yazar:: Tan, H, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)
Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
Yazar:: Tan, H, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)
Annealing of ion implanted gallium nitride
Yazar:: Tan, H, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)
AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
Yazar:: Justinas Jorudas, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020-12-01)