Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography
We have registered the position of single InGaAs quantum dots using a cryogenic laser photolithography technique. This is an important advance towards the reproducible fabrication of solid-state cavity quantum electrodynamic devices, a key requirement for commercial exploitation of quantum informati...
Հիմնական հեղինակներ: | Lee, K, Green, A, Taylor, R, Sharp, D, Scrimgeour, J, Roche, O, Na, J, Jarjour, A, Turberfield, A, Brossard, F, Williams, D, Briggs, G |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
American Institute of Physics
2006
|
Խորագրեր: |
Նմանատիպ նյութեր
-
Cryogenic two-photon laser photolithography with SU-8
: Lee, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography
: Lee, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography
: Lee, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Accuracy of single quantum dot registration using cryogenic laser photolithography
: Lee, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
: Jarjour, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2007)