Electron beam induced current investigations of transition metal impurities at extended defects in silicon

Electron beam induced current investigations of transition metal impurities at extended defects in silicon

The electron beam induced current (EBIC) mode of a scanning electron microscopy is a useful technique for studying gettering of impurities to extended defects, its high sensitivity allowing very low impurity concentrations to be studied. Extended defects, when studied by EBIC, normally exhibit one o...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Wilshaw, P, Fell, T
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	Electrochemical Soc Inc 1995

Схожі ресурси

Electron-beam-induced activity of defects in silicon
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1994)

ELECTRON-BEAM-INDUCED ACTIVITY OF DEFECTS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1994)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1993)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

Carrier recombination at defects in silicon: The effect of transition metals and hydrogen passivation
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1997)

Impurity locking of dislocations in silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2004)

GETTERING OF COPPER AND IRON TO EXTENDED SURFACE-DEFECTS IN SILICON
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1992)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1991)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1991)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1991)

Defect reactions and impurity control in silicon
за авторством: Zhao, Song, 1964-
Опубліковано: (2005)

Impurity and defect mitigation for silicon photovoltaics
за авторством: Martins, G
Опубліковано: (2016)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2003)

THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)

Transition metal impurities in silicon: computational search for a semiconductor qubit
за авторством: Cheng-Wei Lee, та інші
Опубліковано: (2022-08-01)

AN ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRENT STUDY OF DISLOCATIONS IN GAAS
за авторством: Galloway, S, та інші
Опубліковано: (1994)

Electron-beam-induced current study of dislocations in GaAs
за авторством: Galloway, SA, та інші
Опубліковано: (1994)

Transition metal impurities in semiconductors/
за авторством: Omel'Yanovskii, E. M., та інші
Опубліковано: (1986)

Investigation of Defect Formation in Silicon Doped with Silver and Gadolinium Impurities by Raman Scattering Spectroscopy
за авторством: Sharifa B. Utamuradova, та інші
Опубліковано: (2023-09-01)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1989)

'Semi-insulating' silicon using deep level impurity doping: problems and potential
за авторством: Mallik, K, та інші
Опубліковано: (2003)

Imaging and quantifying carrier collection in silicon solar cells: a submicron study using electron beam induced current
за авторством: Yu, M, та інші
Опубліковано: (2020)

High resolution deep level transient spectroscopy applied to extended defects in silicon
за авторством: Evans-Freeman, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Defect Formation in MIS Structures Based on Silicon with an Impurity of Ytterbium
за авторством: Khodjakbar S. Daliev, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon
за авторством: Yu.V. Pavlovskyy, та інші
Опубліковано: (2021-08-01)

The effect of impurity-induced lattice strain and Fermi level position on low temperature oxygen diffusion in silicon
за авторством: Zeng, Z, та інші
Опубліковано: (2011)

First-Principles Study of Metal Impurities in Silicon Carbide: Structural, Magnetic, and Electronic Properties
за авторством: Lin Zhang, та інші
Опубліковано: (2022-07-01)

Deep level impurity engineered semi-insulating Cz-silicon as microwave substrates
за авторством: Mallik, K, та інші
Опубліковано: (2011)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

Electronic conductivity in metal-graphene composites: the role of disordered carbon structures, defects, and impurities
за авторством: K Nepal, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Impurity-driven metal-insulator transitions in holography
за авторством: Yunseok Seo, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Atom probe Tomography of fast-diffusing impurities and the effect of gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Tweddle, D, та інші
Опубліковано: (2018)

EBIC CONTRAST OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1991)

Investigation of Si Dendrites by Electron-Beam-Induced Current
за авторством: Wei Yi, та інші
Опубліковано: (2018-08-01)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1984)

Effects of Phosphorus Diffusion on Gettering of Metal Impurities in UMG Silicon Wafers
за авторством: Sung Yean Yoon, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)