تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
عرض إصدارات أخرى (1)
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Fell, T
,
Wilshaw, P
التنسيق:
Conference item
منشور في:
1989
المقتنيات
الوصف
إصدارات أخرى (1)
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
حسب: Fell, T, وآخرون
منشور في: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
حسب: Wilshaw, P, وآخرون
منشور في: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
حسب: Wilshaw, P, وآخرون
منشور في: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
حسب: Wilshaw, P, وآخرون
منشور في: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
حسب: Fell, T, وآخرون
منشور في: (1991)