Direct-write non-linear photolithography for semiconductor nanowire characterization.
A practical bottleneck prohibiting the rapid, confident and damage-free electrical contacting of vapour-liquid-solid grown nanowires arises from the random spatial distribution and variation in quality of the nanowires, and the contact dimensions required. Established techniques such as electron-bea...
Автори: | Parkinson, P, Jiang, N, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C |
---|---|
Формат: | Journal article |
Мова: | English |
Опубліковано: |
IOP Publishing
2012
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
Non-linear direct-laser-write lithography for semiconductor nanowire characterisation
за авторством: Parkinson, P, та інші
Опубліковано: (2012) -
III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Mokkapati, S, та інші
Опубліковано: (2013) -
Polarization tunable, multicolor emission from core-shell photonic III-V semiconductor nanowires.
за авторством: Mokkapati, S, та інші
Опубліковано: (2012) -
Characterization of semiconductor nanowires using optical tweezers
за авторством: Reece, Peter J., та інші
Опубліковано: (2011) -
III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)