Performance and design of InGaAs /InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 microm.
The performance of selected, commercially available InGaAs/InP avalanche photodiodes operating in a photon-counting mode at an incident wavelength of 1.55 microm is described. A discussion on the optimum operating conditions and their relationship to the electric field distribution within the device...
প্রধান লেখক: | Hiskett, P, Buller, G, Loudon, A, Smith, J, Gontijo, I, Walker, A, Townsend, P, Robertson, M |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
2000
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Low-noise single-photon detection at wavelength 1.55 mu m
অনুযায়ী: Hiskett, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001) -
Analytical Performance Modeling of InP-InGaAs Hetero-junction Avalanche Photodiode
অনুযায়ী: الهام كاضم أونيس
প্রকাশিত: (2009-12-01) -
Balanced InP/InGaAs Photodiodes With 1.5-W Output Power
অনুযায়ী: Qiugui Zhou, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013-01-01) -
InP/InGaAs Photodetector on SOI Photonic Circuitry
অনুযায়ী: P. R. A. Binetti, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010-01-01) -
Electronic transport mechanism and defect states for p-InP/i-InGaAs/n-InP photodiodes
অনুযায়ী: Thi Kim Oanh Vu, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-07-01)