ATOM PROBE STUDIES OF THE COMPOSITION OF LOW-TEMPERATURE OXIDES ON (100) SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE SURFACES

ATOM PROBE STUDIES OF THE COMPOSITION OF LOW-TEMPERATURE OXIDES ON (100) SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE SURFACES

Pulsed laser atom probe microanalysis has been used to investigate the stoichiometry of low-temperature oxides on silicon and gallium arsenide. The composition of hydrophobic oxides grown on silicon after cleaning in hydrofluoric acid solutions is shown to tend to SiO as the oxide layer thickens. By...

Volledige beschrijving

Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:	Grovenor, C, Cerezo, A
Formaat:	Journal article
Taal:	English
Gepubliceerd in:	1989

Gelijkaardige items

PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
door: Demenet, J, et al.
Gepubliceerd in: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
door: Wilshaw, P, et al.
Gepubliceerd in: (1989)

VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
door: 359597 Ghandi, Sorab K.
Gepubliceerd in: (1994)

VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide/
door: 359597 Ghandi, Sorab K.
Gepubliceerd in: (1983)

Gallium arsenide /
door: Blakemore, John Sydney
Gepubliceerd in: (1987)

Atomic and electronic structure of grain boundaries in gallium arsenide
door: Krishna, S, et al.
Gepubliceerd in: (1994)

FRACTURE AND CRACK TIP PLASTICITY IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
door: Michot, G, et al.
Gepubliceerd in: (1989)

First measurement of Gallium Arsenide as a low-temperature calorimeter
door: D. L. Helis, et al.
Gepubliceerd in: (2024-07-01)

Gallium arsenide : proceedings /
door: International Gallium Arsenide Symposium, (2nd : 1968 Dallas, Texas), et al.
Gepubliceerd in: (1969)

Gallium interstitial contributions to diffusion in gallium arsenide
door: Joseph T. Schick, et al.
Gepubliceerd in: (2011-09-01)

MOBILITY OF DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
door: Alexander, H, et al.
Gepubliceerd in: (1989)

Elevated temperature stability of gallium arsenide integrated circuits
door: Braun, Eric
Gepubliceerd in: (2007)

Dielectric films on gallium arsenide /
door: 351413 Croydon, W. F., et al.
Gepubliceerd in: (1981)

Gallium arsenide and related compounds,
door: International Symposium on Gallium Arsenide and related compounds (5th : 1974 : Deauville), et al.
Gepubliceerd in: (1975)

Gallium arsenide and related compounds /
door: 472172 International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (13th : 1986 : Las Vegas), et al.
Gepubliceerd in: (1987)

Gallium arsenide and related compounds /
door: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (6th, 1976 : Edinburg), et al.
Gepubliceerd in: (1977)

Experiments in gallium arsenide technology /
door: 225814 Branning, D. J., et al.
Gepubliceerd in: (1988)

Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide
door: Ig. Iv. Chychura, et al.
Gepubliceerd in: (2020-06-01)

Gallium arsenide nanoparticles: synthesis and characterisation
door: Malik, M, et al.
Gepubliceerd in: (2003)

Growth rate gallium arsenide nanowires /
door: Rosnita Muhammad, 1972-, author, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Gallium arsenide and related compounds 1985 /
door: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (12th : 1985 : Karuizawa, Japan)
Gepubliceerd in: (1986)

Gallium arsenide and related compounds : proccedings /
door: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (6th : 1976 : St. Louis), et al.
Gepubliceerd in: (1977)

Gallium arsenide and related compounds : proceedings
door: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (4th : 1972 : Boulder, Colorado)
Gepubliceerd in: (1973)

Gallium arsenide and related compounds, 1978 /
door: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (7th : 1978 : St. Louis), et al.
Gepubliceerd in: (1979)

Gallium arsenide and related compounds : proceedings /
door: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, (3rd : 1970 : Aachen), et al.
Gepubliceerd in: (1971)

OSILATOR BERBASIS GALLIUM ARSENIDE (GaAs)
door: Andreas Ardian Febrianto
Gepubliceerd in: (2014-04-01)

Low temperature electron irradiation induced defects in gallium-arsenide : bulk and surface acoustic wave studies / [mikrofilem]
door: 406635 Brophy, Martin Joseph

THE CHARACTERIZATION OF SILICON SURFACES BY TIME-OF-FLIGHT ATOM PROBE ANALYSIS
door: Grovenor, C, et al.
Gepubliceerd in: (1982)

Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI
door: S. P. Novosyadliy, et al.
Gepubliceerd in: (2020-06-01)

Synthesis of Polytypic Gallium Phosphide and Gallium Arsenide Nanowires and Their Application as Photodetectors
door: Kidong Park, et al.
Gepubliceerd in: (2019-02-01)

Gallium arsenide pixel detectors for medical imaging
door: DaVia, C, et al.
Gepubliceerd in: (1997)

Gallium arsenide : proceedings of the international symposium [mikrofis]
door: Institute of Physics (Great Britain)
Gepubliceerd in: (1966)

Gallium arsenide digital integrated circuit design /
door: 341681 Long, Stephen I., et al.
Gepubliceerd in: (c199)

Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters
door: Musa, Nor Muniroh
Gepubliceerd in: (2009)

Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters /
door: Nor Muniroh Musa, 1982-, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Gallium arsenide IC technology : principles and practice /
door: 231019 Sclater, Neil
Gepubliceerd in: (1988)

SURFACE-ANALYSIS WITH A POSITION-SENSITIVE ATOM PROBE
door: Cerezo, A, et al.
Gepubliceerd in: (1989)

ATOM PROBE ANALYSIS OF A CERAMIC OXIDE SUPERCONDUCTOR
door: Cerezo, A, et al.
Gepubliceerd in: (1988)

Light depolarization effects in tip enhanced Raman spectroscopy of silicon (001) and gallium arsenide (001)
door: P. G. Gucciardi, et al.
Gepubliceerd in: (2011-09-01)

Growth of Gold-assisted Gallium Arsenide Nanowires on Silicon Substrates via Molecular Beam Epitaxy
door: Ramon M. delos Santos, et al.
Gepubliceerd in: (2008-06-01)