ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM SILICIDE ON SILICON
Palladium silicide coated silicon specimens have been formed by thermally evaporating palladium onto clean field evaporated n-type silicon (100) tips. The thin palladium overlayer is reacted to form palladium silicide by thermal annealing at 675 K. The tips were studied by field ion imaging, pulsed...
Автори: | King, R, Mackenzie, R, Smith, G, Cade, N |
---|---|
Формат: | Conference item |
Опубліковано: |
1995
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM-SILICIDE-COATED SILICON EMITTERS
за авторством: King, R, та інші
Опубліковано: (1995) -
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM SILICIDE COATED SILICON EMITTERS
за авторством: King, R, та інші
Опубліковано: (1994) -
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE ANALYSIS OF GRIDDED SILICON FIELD EMITTERS
за авторством: Huang, M, та інші
Опубліковано: (1994) -
ATOM-PROBE ANALYSIS AND FIELD-EMISSION STUDIES OF SILICON
за авторством: King, R, та інші
Опубліковано: (1994) -
FIELD-ION MICROSCOPE ATOM PROBE STUDIES OF METALLIC GLASSES
за авторством: Bhatti, A, та інші
Опубліковано: (1985)