ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM SILICIDE ON SILICON
Palladium silicide coated silicon specimens have been formed by thermally evaporating palladium onto clean field evaporated n-type silicon (100) tips. The thin palladium overlayer is reacted to form palladium silicide by thermal annealing at 675 K. The tips were studied by field ion imaging, pulsed...
Những tác giả chính: | King, R, Mackenzie, R, Smith, G, Cade, N |
---|---|
Định dạng: | Conference item |
Được phát hành: |
1995
|
Những quyển sách tương tự
-
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM-SILICIDE-COATED SILICON EMITTERS
Bằng: King, R, et al.
Được phát hành: (1995) -
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM SILICIDE COATED SILICON EMITTERS
Bằng: King, R, et al.
Được phát hành: (1994) -
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE ANALYSIS OF GRIDDED SILICON FIELD EMITTERS
Bằng: Huang, M, et al.
Được phát hành: (1994) -
ATOM-PROBE ANALYSIS AND FIELD-EMISSION STUDIES OF SILICON
Bằng: King, R, et al.
Được phát hành: (1994) -
FIELD-ION MICROSCOPE ATOM PROBE STUDIES OF METALLIC GLASSES
Bằng: Bhatti, A, et al.
Được phát hành: (1985)