Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
INCIPIENT DISLOCATION DIPOLES...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
INCIPIENT DISLOCATION DIPOLES IN SILICON
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας:
Heggie, M
Μορφή:
Conference item
Έκδοση:
1989
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
INTERACTION OF IMPURITIES WITH DISLOCATION CORES IN SILICON
ανά: Heggie, M, κ.ά.
Έκδοση: (1989)
On the annihilation of dislocation dipoles in metals
ανά: Hao Wang
Έκδοση: (2017-11-01)
Misfit dislocation dipoles in coated fibrous composites
ανά: Wang, Xu, κ.ά.
Έκδοση: (2016)
The solution of plane crack problems by dislocation dipole procedures
ανά: Korsunsky, A, κ.ά.
Έκδοση: (1995)
DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN SILICON
ανά: Ray, I, κ.ά.
Έκδοση: (1971)