Observation of depth-dependent atomic displacements related to dislocations in GaN by optical sectioning in the STEM

অনুরূপ উপাদানগুলি

• Direct observation of depth-dependent atomic displacements associated with dislocations in gallium nitride.
  অনুযায়ী: Lozano, J, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2014)
• The dissociation of the [a plus c] dislocation in GaN
  অনুযায়ী: Hirsch, P, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2013)
• A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN
  অনুযায়ী: Nellist, P, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2014)
• Direct observation of the core structures of threading dislocations in GaN
  অনুযায়ী: Xin, Y, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1998)
• Direct observations of atomic structures of defects in GaN by high resolution Z-contrast stem
  অনুযায়ী: Xin, Y, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (1998)