Atomic level distributed strain within graphene divacancies from bond rotations.

Atomic level distributed strain within graphene divacancies from bond rotations.

Vacancy defects play an important role in influencing the properties of graphene and understanding their detailed atomic structure is crucial for developing accurate models to predict their impact. Divacancies (DVs) are one of the most common defects in graphene and can take three structural differe...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chen, Q, Robertson, A, He, K, Gong, C, Yoon, E, Lee, G, Warner, J
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	American Chemical Society 2015

Những quyển sách tương tự

Engineering Magnetic Anisotropy of Rhenium Atom in Nitrogenized Divacancy of Graphene
Bằng: Honglei Liu, et al.
Được phát hành: (2023-02-01)

First Principles Study on the CO Oxidation on Mn-Embedded Divacancy Graphene
Bằng: Quanguo Jiang, et al.
Được phát hành: (2018-05-01)

Geometries and Electronic States of Divacancy Defect in Finite-Size Hexagonal Graphene Flakes
Bằng: Lili Liu, et al.
Được phát hành: (2017-01-01)

Atomic structure of graphene subnanometer pores.
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2015)

In situ high temperature atomic level studies of large closed grain boundary loops in graphene
Bằng: Gong, C, et al.
Được phát hành: (2016)

In situ atomic level dynamics of heterogeneous nucleation and growth of graphene from inorganic nanoparticle seeds.
Bằng: Gong, C, et al.
Được phát hành: (2016)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
Bằng: O. P. Dolgolenko
Được phát hành: (2013-06-01)

Hyperfine interaction of H-divacancy in diamond
Bằng: M.K. Atumi, et al.
Được phát hành: (2020-03-01)

Bond length and charge density variations within extended arm chair defects in graphene.
Bằng: Warner, J, et al.
Được phát hành: (2013)

RECONSTRUCTION OF DIVACANCY IN ZIGZAG-BUCKLED SILICENE NANORIBBONS
Bằng: Van Chinh Ngo, et al.
Được phát hành: (2024-03-01)

Measuring strain and rotation fields at the dislocation core in graphene
Bằng: Bonilla, L, et al.
Được phát hành: (2015)

Interactions of Pb and Te atoms with graphene.
Bằng: Gong, C, et al.
Được phát hành: (2014)

Divacancy and resonance level enables high thermoelectric performance in n-type SnSe polycrystals
Bằng: Yaru Gong, et al.
Được phát hành: (2024-05-01)

Partial dislocations in graphene and their atomic level migration dynamics.
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2015)

First principles design of divacancy defected graphene nanoribbon based rectifying and negative differential resistance device
Bằng: Soubhik Chakrabarty, et al.
Được phát hành: (2015-08-01)

Divacancy superstructures in thermoelectric calcium-doped sodium cobaltate
Bằng: Porter, D, et al.
Được phát hành: (2014)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
Bằng: A. P. Dolgolenko
Được phát hành: (2014-06-01)

Quantum decoherence dynamics of divacancy spins in silicon carbide
Bằng: Hosung Seo, et al.
Được phát hành: (2016-09-01)

Dipolar spin relaxation of divacancy qubits in silicon carbide
Bằng: Oscar Bulancea-Lindvall, et al.
Được phát hành: (2021-12-01)

Thermally induced dynamics of dislocations in graphene at atomic resolution.
Bằng: Gong, C, et al.
Được phát hành: (2015)

Inflating graphene with atomic scale blisters.
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2014)

Rotating anisotropic crystalline silicon nanoclusters in graphene.
Bằng: Chen, Q, et al.
Được phát hành: (2015)

Does Divacancy Defect Combine with N,S-Codoping Enhance the Electronic Properties of Graphene to Its Interaction with K+ Ion?
Bằng: Yuniawan Hidayat, et al.
Được phát hành: (2023-03-01)

The role of the bridging atom in stabilizing odd numbered graphene vacancies.
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2014)

Atomic resolution imaging of graphene by transmission electron microscopy.
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2013)

Boosting ORR performance by single atomic divacancy Zn–N₃C–C₈ sites on ultrathin N-doped carbon nanosheets
Bằng: Zhang, Tianyu, et al.
Được phát hành: (2022)

Theory of self-diffusion in alkali metals: II. The influence of divacancies in Li
Bằng: Schott, V, et al.
Được phát hành: (2000)

Atomic structure and dynamics of metal dopant pairs in graphene.
Bằng: He, Z, et al.
Được phát hành: (2014)

Atomic structure and dynamics of epitaxial 2D crystalline gold on graphene at elevated temperatures
Bằng: Chen, Q, et al.
Được phát hành: (2016)

Lithium on CH Divacancy Self-Healed Graphane: A First-Principles Study
Bằng: Refilwe Edwin Mapasha, et al.
Được phát hành: (2024-03-01)

In-situ atomic level observation of the strain response of graphene lattice
Bằng: Jz-Yuan Juo, et al.
Được phát hành: (2023-02-01)

Temperature dependence of atomic vibrations in mono-layer graphene
Bằng: Allen, C, et al.
Được phát hành: (2015)

Atomic structure and dynamics of epitaxial platinum bilayers on graphene
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2019)

Atomic level spatial variations of energy states along graphene edges
Bằng: Warner, J, et al.
Được phát hành: (2014)

Resolving strain in carbon nanotubes at the atomic level.
Bằng: Warner, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Robust single modified divacancy color centers in 4H-SiC under resonant excitation
Bằng: Zhen-Xuan He, et al.
Được phát hành: (2024-11-01)

Dynamics of single Fe atoms in graphene vacancies.
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2013)

Electron-paramagnetic-resonance measurements on the divacancy defect center R4/W6 in diamond
Bằng: Twitchen, D, et al.
Được phát hành: (1999)

Graphene as a flexible template for controlling magnetic interactions between metal atoms
Bằng: Lee, S, et al.
Được phát hành: (2017)

Atomic structure of interconnected few-layer graphene domains.
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2011)