TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
প্রধান লেখক: | Kressrogers, E, Nicholas, R, Englert, T, Pepper, M |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
1980
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
অনুযায়ী: Kressrogers, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1982) -
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
অনুযায়ী: Kressrogers, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983) -
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1980) -
TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1982) -
Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
অনুযায়ী: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)