TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS

TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS

Bibliografiset tiedot
Päätekijät:	Kressrogers, E, Nicholas, R, Englert, T, Pepper, M
Aineistotyyppi:	Journal article
Julkaistu:	1980

Samankaltaisia teoksia

CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
Tekijä: Kressrogers, E, et al.
Julkaistu: (1982)

THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
Tekijä: Kressrogers, E, et al.
Julkaistu: (1983)

ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
Tekijä: Nicholas, R, et al.
Julkaistu: (1980)

TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
Tekijä: Nicholas, R, et al.
Julkaistu: (1982)

Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Tekijä: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, et al.
Julkaistu: (2010)

On Backscattering and Mobility in Nanoscale Silicon MOSFETs
Tekijä: Jeong, Changwook, et al.
Julkaistu: (2010)

Design and characterisation of strained silicon MOSFET /
Tekijä: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, et al.
Julkaistu: (2007)

Electro-Thermal simulation study of MOSFET modeling in Silicon and Silicon carbide
Tekijä: B Mourched, et al.
Julkaistu: (2022-12-01)

Dual nanowire silicon MOSFET with silicon bridge and TaN gate
Tekijä: Theng, A. L., et al.
Julkaistu: (2010)

Physics of high-frequency operation in silicon MOSFETs
Tekijä: Chang, Richard T. (Richard Tzewei), 1975-
Julkaistu: (2009)

Extreme-submicrometer silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs
Tekijä: Su, Lisa T. (Lisa Tzu-Feng)
Julkaistu: (2005)

Deep submicron silicon on insulator (SOI) MOSFET /
Tekijä: Vijay, K. Arora, et al.
Julkaistu: (2008)

Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET
Tekijä: Catherine Langpoklakpam, et al.
Julkaistu: (2022-02-01)

High frequency noise in deep-submicrometer silicon mosfets
Tekijä: Su, Hao
Julkaistu: (2011)

Design and characterisation of strained silicon MOSFET [electronic resource] /
Tekijä: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, et al.
Julkaistu: (2007)

Characterization of double gate silicon on insulator (SOI) MOSFET /
Tekijä: Zaharah Johari, 1985-, et al.
Julkaistu: (2008)

A semi-empirical model for strained silicon mosfet /
Tekijä: Mohammad 'Afif Kasno, et al.
Julkaistu: (2007)

Modeling of deep submicron silicon on insulator (SOI) mosfet /
Tekijä: 250864 Aiman Abdul Rashid, et al.

High-Performance WS2 MOSFETs with Bilayer WS2 Contacts
Tekijä: Lun Jin, et al.
Julkaistu: (2024-07-01)

Nano-scale ohmic contacts for III-V MOSFETs
Tekijä: Lu, Wenjie
Julkaistu: (2014)

SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN N-CHANNEL SILICON (100) MOSFETS IN MAGNETIC-FIELDS UP TO 35-T
Tekijä: Nicholas, R, et al.
Julkaistu: (1979)

Impact of Temperature on Neutron Irradiation Failure-in-Time of Silicon and Silicon Carbide Power MOSFETs
Tekijä: Fabio Principato, et al.
Julkaistu: (2023-05-01)

Design, process, and reliability considerations in silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs
Tekijä: Sherony, Melanie J. (Melanie Jane)
Julkaistu: (2005)

Silicon-Germanium interdiffusion and its impacts on enhanced mobility MOSFETs
Tekijä: Xia, Guangrui, 1976-
Julkaistu: (2007)

Compact modeling of gate-all-around silicon nanowire MOSFETs
Tekijä: Lin Shihuan
Julkaistu: (2012)

Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET /
Tekijä: 521413 Lau, Ngei Ong, et al.
Julkaistu: (2010)

Characterization of strained silicon MOSFET using semiconductor TCAD tools
Tekijä: Wong, Yah Jin, et al.
Julkaistu: (2006)

The effect of different ge concentration on the characteristics of strain silicon MOSFET /
Tekijä: Razali Ismail, 1960-, author, et al.
Julkaistu: (2007)

Characterization of silicon - on - insulator (SOI) mosfet using TCAD tools /
Tekijä: 247481 Yeoh, Chun Jern, et al.
Julkaistu: (2007)

Comprehensive Analysis of Short circuit Protections for Silicon-Carbide MOSFET
Tekijä: Zhao Jialin
Julkaistu: (2023-01-01)

Investigation into the Effect of Varied Functional Biointerfaces on Silicon Nanowire MOSFETs
Tekijä: Shu-Ping Lin, et al.
Julkaistu: (2012-12-01)

Different JFET Designs on Conduction and Short-Circuit Capability for 3.3 kV Planar-Gate Silicon Carbide MOSFETs
Tekijä: Ximing Chen, et al.
Julkaistu: (2020-01-01)

A two-dimensional analytical model for short channel junctionless double-gate MOSFETs
Tekijä: Chunsheng Jiang, et al.
Julkaistu: (2015-05-01)

Process integration of erbium-doped silicon light-emitting diodes and MOSFETs
Tekijä: Zheng, Bo
Julkaistu: (2005)

Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs
Tekijä: Chin, Yoke King
Julkaistu: (2013)

Modeling of deep submicron silicon on insulator (SOI) mosfet [electronic resource] /
Tekijä: 250864 Aiman Abdul Rashid, et al.

A semi-empirical model for strained silicon mosfet [electronic resource] /
Tekijä: Mohammad 'Afif Kasno, et al.
Julkaistu: (2007)

Numerical study of carrier velocity for P-type strained silicon MOSFET /
Tekijä: Yau, Wei Heong, 1983-, author, et al.
Julkaistu: (2009)

Wireless Control of Active Gate Drivers for Silicon Carbide Power MOSFETs
Tekijä: Daniel A. Philipps, et al.
Julkaistu: (2023-01-01)

An Investigation in the I-gate Body Contact for Partially Depleted SOI MOSFET
Tekijä: Arash Daghighi, et al.
Julkaistu: (2024-02-01)