TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Հիմնական հեղինակներ: | Kressrogers, E, Nicholas, R, Englert, T, Pepper, M |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
1980
|
Նմանատիպ նյութեր
-
CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
: Kressrogers, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1982) -
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
: Kressrogers, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1983) -
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
: Nicholas, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1980) -
TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
: Nicholas, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1982) -
Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, և այլն
Հրապարակվել է: (2010)