TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS

TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS

Бібліографічні деталі
Автори:	Kressrogers, E, Nicholas, R, Englert, T, Pepper, M
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1980

Схожі ресурси

CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
за авторством: Kressrogers, E, та інші
Опубліковано: (1982)

THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
за авторством: Kressrogers, E, та інші
Опубліковано: (1983)

ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
за авторством: Nicholas, R, та інші
Опубліковано: (1980)

TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
за авторством: Nicholas, R, та інші
Опубліковано: (1982)

Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
за авторством: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, та інші
Опубліковано: (2010)

On Backscattering and Mobility in Nanoscale Silicon MOSFETs
за авторством: Jeong, Changwook, та інші
Опубліковано: (2010)

Design and characterisation of strained silicon MOSFET /
за авторством: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, та інші
Опубліковано: (2007)

Electro-Thermal simulation study of MOSFET modeling in Silicon and Silicon carbide
за авторством: B Mourched, та інші
Опубліковано: (2022-12-01)

Dual nanowire silicon MOSFET with silicon bridge and TaN gate
за авторством: Theng, A. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Physics of high-frequency operation in silicon MOSFETs
за авторством: Chang, Richard T. (Richard Tzewei), 1975-
Опубліковано: (2009)

Extreme-submicrometer silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs
за авторством: Su, Lisa T. (Lisa Tzu-Feng)
Опубліковано: (2005)

Deep submicron silicon on insulator (SOI) MOSFET /
за авторством: Vijay, K. Arora, та інші
Опубліковано: (2008)

Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET
за авторством: Catherine Langpoklakpam, та інші
Опубліковано: (2022-02-01)

High frequency noise in deep-submicrometer silicon mosfets
за авторством: Su, Hao
Опубліковано: (2011)

Design and characterisation of strained silicon MOSFET [electronic resource] /
за авторством: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, та інші
Опубліковано: (2007)

Characterization of double gate silicon on insulator (SOI) MOSFET /
за авторством: Zaharah Johari, 1985-, та інші
Опубліковано: (2008)

A semi-empirical model for strained silicon mosfet /
за авторством: Mohammad 'Afif Kasno, та інші
Опубліковано: (2007)

Modeling of deep submicron silicon on insulator (SOI) mosfet /
за авторством: 250864 Aiman Abdul Rashid, та інші

High-Performance WS2 MOSFETs with Bilayer WS2 Contacts
за авторством: Lun Jin, та інші
Опубліковано: (2024-07-01)

Nano-scale ohmic contacts for III-V MOSFETs
за авторством: Lu, Wenjie
Опубліковано: (2014)

SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN N-CHANNEL SILICON (100) MOSFETS IN MAGNETIC-FIELDS UP TO 35-T
за авторством: Nicholas, R, та інші
Опубліковано: (1979)

Impact of Temperature on Neutron Irradiation Failure-in-Time of Silicon and Silicon Carbide Power MOSFETs
за авторством: Fabio Principato, та інші
Опубліковано: (2023-05-01)

Design, process, and reliability considerations in silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs
за авторством: Sherony, Melanie J. (Melanie Jane)
Опубліковано: (2005)

Silicon-Germanium interdiffusion and its impacts on enhanced mobility MOSFETs
за авторством: Xia, Guangrui, 1976-
Опубліковано: (2007)

Compact modeling of gate-all-around silicon nanowire MOSFETs
за авторством: Lin Shihuan
Опубліковано: (2012)

Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET /
за авторством: 521413 Lau, Ngei Ong, та інші
Опубліковано: (2010)

Characterization of strained silicon MOSFET using semiconductor TCAD tools
за авторством: Wong, Yah Jin, та інші
Опубліковано: (2006)

The effect of different ge concentration on the characteristics of strain silicon MOSFET /
за авторством: Razali Ismail, 1960-, author, та інші
Опубліковано: (2007)

Characterization of silicon - on - insulator (SOI) mosfet using TCAD tools /
за авторством: 247481 Yeoh, Chun Jern, та інші
Опубліковано: (2007)

Comprehensive Analysis of Short circuit Protections for Silicon-Carbide MOSFET
за авторством: Zhao Jialin
Опубліковано: (2023-01-01)

Investigation into the Effect of Varied Functional Biointerfaces on Silicon Nanowire MOSFETs
за авторством: Shu-Ping Lin, та інші
Опубліковано: (2012-12-01)

Different JFET Designs on Conduction and Short-Circuit Capability for 3.3 kV Planar-Gate Silicon Carbide MOSFETs
за авторством: Ximing Chen, та інші
Опубліковано: (2020-01-01)

A two-dimensional analytical model for short channel junctionless double-gate MOSFETs
за авторством: Chunsheng Jiang, та інші
Опубліковано: (2015-05-01)

Process integration of erbium-doped silicon light-emitting diodes and MOSFETs
за авторством: Zheng, Bo
Опубліковано: (2005)

Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs
за авторством: Chin, Yoke King
Опубліковано: (2013)

Modeling of deep submicron silicon on insulator (SOI) mosfet [electronic resource] /
за авторством: 250864 Aiman Abdul Rashid, та інші

A semi-empirical model for strained silicon mosfet [electronic resource] /
за авторством: Mohammad 'Afif Kasno, та інші
Опубліковано: (2007)

Numerical study of carrier velocity for P-type strained silicon MOSFET /
за авторством: Yau, Wei Heong, 1983-, author, та інші
Опубліковано: (2009)

Wireless Control of Active Gate Drivers for Silicon Carbide Power MOSFETs
за авторством: Daniel A. Philipps, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

An Investigation in the I-gate Body Contact for Partially Depleted SOI MOSFET
за авторством: Arash Daghighi, та інші
Опубліковано: (2024-02-01)