İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY I...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Kressrogers, E
,
Nicholas, R
,
Englert, T
,
Pepper, M
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
1980
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
Yazar:: Kressrogers, E, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1982)
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
Yazar:: Kressrogers, E, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1983)
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1980)
TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1982)
Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Yazar:: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)