Skip to content
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
Napredno
  • Electronic structure at realis...
  • Citiraj
  • Pošljite SMS
  • Pošljite email
  • Natisni
  • Izvozi zadetek
    • Izvozi v RefWorks
    • Izvozi v EndNoteWeb
    • Izvozi v EndNote
  • Permanent link
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

Bibliografske podrobnosti
Main Authors: Giustino, F, Bongiorno, A, Pasquarello, A
Format: Conference item
Izdano: 2004
  • Zaloga
  • Opis
  • Podobne knjige/članki
  • Knjižničarski pogled

Podobne knjige/članki

  • Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
    od: Giustino, F, et al.
    Izdano: (2005)
  • Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
    od: Giustino, F, et al.
    Izdano: (2005)
  • Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
    od: Godet, J, et al.
    Izdano: (2007)
  • Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
    od: Giustino, F, et al.
    Izdano: (2002)
  • Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
    od: Giustino, F, et al.
    Izdano: (2005)

Iskalne možnosti

  • Iskalna zgodovina
  • Napredno iskanje

Poišči več

  • Prelistaj katalog
  • Po abecedi
  • Explore Channels
  • Obvezna literatura
  • Novi knjige/članki

Potrebujete pomoč?

  • Navodila za iskanje
  • Vprašaj knjižničarja
  • Pogosta vprašanja