Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
Electronic structure at realis...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Bibliografske podrobnosti
Main Authors:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Format:
Conference item
Izdano:
2004
Zaloga
Opis
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Podobne knjige/članki
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
od: Giustino, F, et al.
Izdano: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
od: Giustino, F, et al.
Izdano: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
od: Godet, J, et al.
Izdano: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
od: Giustino, F, et al.
Izdano: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
od: Giustino, F, et al.
Izdano: (2005)