تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Electronic structure at realis...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
التنسيق:
Conference item
منشور في:
2004
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
حسب: Giustino, F, وآخرون
منشور في: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
حسب: Giustino, F, وآخرون
منشور في: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
حسب: Godet, J, وآخرون
منشور في: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
حسب: Giustino, F, وآخرون
منشور في: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
حسب: Giustino, F, وآخرون
منشور في: (2005)