Neidio i'r cynnwys
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Iaith
Pob Maes
Teitl
Awdur
Pwnc
Rhif Galw
ISBN/ISSN
Tag
Canfod
Uwch
Electronic structure at realis...
Dyfynnu hwn
Anfonwch hwn fel neges destun
E-bostio hwn
Argraffu
Allforio Cofnod
Allforio i RefWorks
Allforio i EndNoteWeb
Allforio i EndNote
Permanent link
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awduron:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Fformat:
Conference item
Cyhoeddwyd:
2004
Daliadau
Disgrifiad
Eitemau Tebyg
Dangos Staff
Eitemau Tebyg
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
gan: Giustino, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
gan: Giustino, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
gan: Godet, J, et al.
Cyhoeddwyd: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
gan: Giustino, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
gan: Giustino, F, et al.
Cyhoeddwyd: (2005)