Skip to content
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
Udvidet
  • Electronic structure at realis...
  • Citér dette
  • Stav dette
  • Email dette
  • Udskriv
  • Eksportér post
    • Eksportér til RefWorks
    • Eksportér til EndNoteWeb
    • Eksportér til EndNote
  • Permanent link
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

Bibliografiske detaljer
Main Authors: Giustino, F, Bongiorno, A, Pasquarello, A
Format: Conference item
Udgivet: 2004
  • Beholdninger
  • Beskrivelse
  • Lignende værker
  • Medarbejdervisning

Lignende værker

  • Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
    af: Giustino, F, et al.
    Udgivet: (2005)
  • Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
    af: Giustino, F, et al.
    Udgivet: (2005)
  • Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
    af: Godet, J, et al.
    Udgivet: (2007)
  • Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
    af: Giustino, F, et al.
    Udgivet: (2002)
  • Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
    af: Giustino, F, et al.
    Udgivet: (2005)

Søgemuligheder

  • Søg Historie
  • Udvidet søgning

Find flere

  • Gennemse kataloget
  • Gennemse alfabetisk
  • Explore Channels
  • Kursusreservationer
  • Nye værker

Har du brug for hjælp?

  • Søgetips
  • Spørg en bibliotekar
  • FAQ’er