Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Electronic structure at realis...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Μορφή:
Conference item
Έκδοση:
2004
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
ανά: Giustino, F, κ.ά.
Έκδοση: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
ανά: Giustino, F, κ.ά.
Έκδοση: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
ανά: Godet, J, κ.ά.
Έκδοση: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
ανά: Giustino, F, κ.ά.
Έκδοση: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
ανά: Giustino, F, κ.ά.
Έκδοση: (2005)