Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Electronic structure at realis...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Aineistotyyppi:
Conference item
Julkaistu:
2004
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
Tekijä: Giustino, F, et al.
Julkaistu: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Tekijä: Giustino, F, et al.
Julkaistu: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
Tekijä: Godet, J, et al.
Julkaistu: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
Tekijä: Giustino, F, et al.
Julkaistu: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
Tekijä: Giustino, F, et al.
Julkaistu: (2005)