Skip to content

VuFind

- English
- Deutsch
- Español
- Français
- Italiano
- 日本語
- Nederlands
- Português
- Português (Brasil)
- 中文(简体)
- 中文（繁體）
- Türkçe
- עברית
- Gaeilge
- Cymraeg
- Ελληνικά
- Català
- Euskara
- Русский
- Čeština
- Suomi
- Svenska
- polski
- Dansk
- slovenščina
- اللغة العربية
- বাংলা
- Galego
- Tiếng Việt
- Hrvatski
- हिंदी
- Հայերէն
- Українська
- Sámegiella
- Монгол

מתקדם

Electronic structure at realis...

יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
Permanent link

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Giustino, F, Bongiorno, A, Pasquarello, A
פורמט:	Conference item
יצא לאור:	2004

מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות

פריטים דומים

Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
מאת: Godet, J, et al.
יצא לאור: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)

אפשרויות חיפוש

חיפושים קודמים
חיפוש מתקדם

מצא עוד

דפדוף בקטלוג
דפדוף בסדר אלפבתי
Explore Channels
שמורות לקורס
פריטים חדשים

צריכים עזרה?

טיפים לחיפוש
לשאול ספרן/ית
שאלות נפוצות