Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
Electronic structure at realis...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Ձևաչափ:
Conference item
Հրապարակվել է:
2004
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
: Giustino, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
: Giustino, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
: Godet, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
: Giustino, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
: Giustino, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)