Ga door naar de inhoud
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Taal
Alle velden
Titel
Auteur
Onderwerp
Plaatsingsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Zoek
Geavanceerd
Electronic structure at realis...
Citeren
SMS dit
Versturen
Afdrukken
Exporteer Record
Exporteer naar RefWorks
Exporteer naar EndNoteWeb
Exporteer naar EndNote
Permalink
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Formaat:
Conference item
Gepubliceerd in:
2004
Exemplaren
Omschrijving
Gelijkaardige items
Personeel
Gelijkaardige items
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
door: Giustino, F, et al.
Gepubliceerd in: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
door: Giustino, F, et al.
Gepubliceerd in: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
door: Godet, J, et al.
Gepubliceerd in: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
door: Giustino, F, et al.
Gepubliceerd in: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
door: Giustino, F, et al.
Gepubliceerd in: (2005)