Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Bias-dependent STM investigati...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Norenberg, H
,
Bowler, DR
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Publicat:
1998
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
per: Mayne, A, et al.
Publicat: (1993)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
per: Norenberg, H, et al.
Publicat: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
per: Owen, J, et al.
Publicat: (1997)
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
per: Owen, J, et al.
Publicat: (1995)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
per: Goldfarb, I, et al.
Publicat: (1999)