Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures

Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Norenberg, H, Bowler, DR, Briggs, G
Médium:	Conference item
Vydáno:	1998

Podobné jednotky

ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
Autor: Mayne, A, a další
Vydáno: (1993)

An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1997)

IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1995)

Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1999)

The surface structure of TiO2(001) after high temperature annealing studied by AFM, STM, and optical microscopy
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (2000)

An STM study of the UO2(001) surface
Autor: Muggelberg, C, a další
Vydáno: (1999)

The adsorption and decomposition of H2S on Ge(001): An STM study
Autor: McGovern, I, a další
Vydáno: (2009)

Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1997)

Imaging insulating oxides by elevated-temperature STM
Autor: Castell, M, a další
Vydáno: (1998)

AN STM STUDY OF THE CHEMISORPTION OF C2H4 ON SI(001)(2X1)
Autor: Mayne, A, a další
Vydáno: (1993)

Diffusion of paired hydrogen on Si(001)
Autor: Bowler, DR, a další
Vydáno: (1998)

Hydrogen diffusion on Si(001)
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1996)

Influence of carbon on the formation of the Si(001) c(4 x 4) surface reconstruction
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

Water adsorption on SrTiO3(001): I. Experimental and simulated STM
Autor: Becerra-Toledo, A, a další
Vydáno: (2012)

The Si(001) c(4 x 4) surface reconstruction: a comprehensive experimental study
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

Atomically perfect bismuth lines on Si(001)
Autor: Miki, K, a další
Vydáno: (1999)

Bismuth-induced structures on Si(001) surfaces
Autor: Miki, K, a další
Vydáno: (1999)

Defect formation on CeO2(111) surfaces after annealing studied by STM
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

The surface structure of CeO2(110) single crystals studied by STM and RHEED
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

Surface structure of CeO2(111) studied by low current STM and electron diffraction
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1998)

A theoretical investigation of gas source growth of the Si(001) surface
Autor: Bowler, D, a další
Vydáno: (1997)

Hydrocarbon adsorption on Si(001): When does the Si dimer bond break?
Autor: Fisher, A, a další
Vydáno: (1997)

Surface structure of the most oxygen deficient Magneli phase - an STM study of Ti4O7
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1998)

Heteroepitaxial growth of InN islands on GaN(0001) and Si(111): a combined STM/AFM study
Autor: Norenberg, C, a další
Vydáno: (2001)

An experimental-theoretical study of the behaviour of hydrogen on the Si(001) surface
Autor: Bowler, DR, a další
Vydáno: (2000)

An STM study of surface structures on WO3(001)
Autor: Jones, F, a další
Vydáno: (1996)

Heteroepitaxial growth of InN islands studied by STM and AFM
Autor: Norenberg, C, a další
Vydáno: (2002)

Real time STM observation of Au-assisted decomposition of SiO2 films on Si(111) at elevated temperatures
Autor: Jun, W, a další
Vydáno: (2002)

Hot STM of nanostructure dynamics on SrTiO(3)(001).
Autor: Marsh, H, a další
Vydáno: (2006)

Nanostructures on the SrTiO3(001) surface studied by STM
Autor: Castell, M
Vydáno: (2002)

The atomic structure of the UO2+x(110) surface and the effects of interstitial oxygen: an elevated-temperature STM study
Autor: Muggelberg, C, a další
Vydáno: (1998)

The atomic structure of the UO2 (111) surface and the effects of additional surface oxygen studied by elevated temperature STM
Autor: Muggelberg, C, a další
Vydáno: (1998)

Gas-source growth of group IV semiconductors: I. Si(001) nucleation mechanisms
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1997)

Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1997)

Self-assembly of trimetallic nitride template fullerenes on surfaces studied by STM
Autor: Leigh, D, a další
Vydáno: (2007)

Stranski-Krastanov growth of InN nanostructures on GaN studied by RHEED, STM and AFM
Autor: Norenberg, C, a další
Vydáno: (2002)

Atomic-resolution STM of a system with strongly correlated electrons: NiO(001) surface structure and defect sites
Autor: Castell, M, a další
Vydáno: (1997)

Self-assembly of trimetallic nitride template fullerenes on surfaces studied by STM
Autor: Leigh, D, a další
Vydáno: (2007)

In situ observation of gas-source molecular beam epitaxy of silicon and germanium on Si(001)
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1998)