Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Päätekijät: | Norenberg, H, Bowler, DR, Briggs, G |
---|---|
Aineistotyyppi: | Conference item |
Julkaistu: |
1998
|
Samankaltaisia teoksia
-
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
Tekijä: Mayne, A, et al.
Julkaistu: (1993) -
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
Tekijä: Norenberg, H, et al.
Julkaistu: (1999) -
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Tekijä: Owen, J, et al.
Julkaistu: (1997) -
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
Tekijä: Owen, J, et al.
Julkaistu: (1995) -
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Tekijä: Goldfarb, I, et al.
Julkaistu: (1999)