Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Автори: | Norenberg, H, Bowler, DR, Briggs, G |
---|---|
Формат: | Conference item |
Опубліковано: |
1998
|
Схожі ресурси
-
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
за авторством: Mayne, A, та інші
Опубліковано: (1993) -
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1999) -
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
за авторством: Owen, J, та інші
Опубліковано: (1997) -
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
за авторством: Owen, J, та інші
Опубліковано: (1995) -
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1999)