Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Bias-dependent STM investigati...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Norenberg, H
,
Bowler, DR
,
Briggs, G
Médium:
Conference item
Vydáno:
1998
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
Autor: Mayne, A, a další
Vydáno: (1993)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1997)
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1995)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1999)