Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
Bias-dependent STM investigati...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Бібліографічні деталі
Автори:
Norenberg, H
,
Bowler, DR
,
Briggs, G
Формат:
Conference item
Опубліковано:
1998
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
за авторством: Mayne, A, та інші
Опубліковано: (1993)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
за авторством: Norenberg, H, та інші
Опубліковано: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
за авторством: Owen, J, та інші
Опубліковано: (1997)
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
за авторством: Owen, J, та інші
Опубліковано: (1995)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1999)