İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
Magnetophotoluminescence of Ga...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Shields, P
,
Nicholas, R
,
Grandjean, N
,
Massies, J
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
2001
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Diğer Bilgiler
Özet:
Benzer Materyaller
Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
Yazar:: Shields, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)
Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures
Yazar:: T. Scheinert, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-12-01)
Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
Yazar:: Jing Cai, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-03-01)
Insight into the physical mechanism of AlxGa1−xN electron blocking layer in GaN-based light emitting diodes
Yazar:: Juanli Zhao, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018-10-01)
Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
Yazar:: Bera, L. K., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)