Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies

Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Shields, P, Nicholas, R, Grandjean, N, Massies, J
Médium:	Journal article
Vydáno:	2001

Podobné jednotky

Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
Autor: Shields, P, a další
Vydáno: (2002)

Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures
Autor: T. Scheinert, a další
Vydáno: (2019-12-01)

Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
Autor: Jing Cai, a další
Vydáno: (2024-03-01)

Insight into the physical mechanism of AlxGa1−xN electron blocking layer in GaN-based light emitting diodes
Autor: Juanli Zhao, a další
Vydáno: (2018-10-01)

Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
Autor: Bera, L. K., a další
Vydáno: (2014)

Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
Autor: Chang Wan Ahn, a další
Vydáno: (2023-01-01)

Microstructural characterization of AlxGa1−xN/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates
Autor: Aabdin, Zainul, a další
Vydáno: (2024)

Hydrostatic Pressure and Built-In Electric Field Effects on the Donor Impurity States in Cylindrical Wurtzite GaN/AlxGa1−xN Quantum Rings
Autor: Guangxin Wang, a další
Vydáno: (2015-01-01)

Measurement for Thermal Effusivity of AlxGa1-xN Alloys Using Thermoreflectance with Periodic Heating
Autor: Shibata, Hiroyuki, a další
Vydáno: (2010-12-01)

Selectively Enhanced UV-A Photoresponsivity of a GaN MSM UV Photodetector with a Step-Graded AlxGa1−xN Buffer Layer
Autor: Chang-Ju Lee, a další
Vydáno: (2017-07-01)

Magneto-photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells
Autor: Shields, P, a další
Vydáno: (2001)

Different substrate structures affect the substitution efficiency of Al atoms in AlxGa1−xN epitaxial films
Autor: R. Wang, a další
Vydáno: (2024-06-01)

Numerical study of valence band states evolution in AlxGa1-xAs [111] QDs systems
Autor: Mikhail Lazarev
Vydáno: (2024-02-01)

Modification of the Surface Properties of AlxGa1–xN Substrates with Gradient Aluminum Composition Using Wet Chemical Treatments
Autor: Sara Gleco, a další
Vydáno: (2019-07-01)

Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
Autor: Ahmed Z. Obaid, a další
Vydáno: (2024-09-01)

An electron paramagnetic resonance study of the electron transport in heavily Si-doped high Al content AlxGa1−xN
Autor: M. E. Zvanut, a další
Vydáno: (2023-12-01)

Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
Autor: Y. C. Chang, a další
Vydáno: (2015-06-01)

Enhanced excitonic emission efficiency in porous GaN
Autor: Thi Huong Ngo, a další
Vydáno: (2018-10-01)

Structural And Optical Studies Of Wide Band-Gap AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1) Semiconductors [TK7871.85. N577 2007 f rb].
Autor: Ng, Sha Shiong
Vydáno: (2007)

Valence hole subbands and optical gain spectra of GaN/Ga1-xAlxN strained quantum wells
Autor: Li, M. F., a další
Vydáno: (2013)

Energy shifts of heavy and light holes and electroluminescence intensity increase in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs laser diode heterostructure under uniaxial compression
Autor: Bogdanov, E., a další
Vydáno: (2011-02-01)

Characteristics of the formation and composition of AlxGa1-xN/AlN/por-Si/Si(111) heterostructures grown using a porous silicon buffer layer
Autor: Alexander S. Lenshin, a další
Vydáno: (2022-03-01)

Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Autor: Tan, H, a další
Vydáno: (1996)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
Autor: Park, Y, a další
Vydáno: (2018)

The electrical characteristic of AlxGa1-xSb thin films /
Autor: 451516 Law, Tien Shyang, a další
Vydáno: (2010)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2012)

Properties of AlxGa1−xAs grown from a mixed Ga–Bi melt
Autor: Olga Khvostikova, a další
Vydáno: (2024-01-01)

SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
Autor: Oleg V. Devitsky, a další
Vydáno: (2022-05-01)

Topographical, compositional, and dopant contrast from cleavage surfaces of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices
Autor: Castell, M, a další
Vydáno: (1995)

Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)
Autor: H. Ben Slimane, a další
Vydáno: (2008-06-01)

Exciton binding energies and band gaps in GaN bulk crystals
Autor: Reimann, K, a další
Vydáno: (1998)

Performance analysis of high efficiency InxGa1−xN/GaN intermediate band quantum dot solar cells
Autor: Injamam Ul Islam Chowdhury, a další
Vydáno: (2018-06-01)

Carrier dynamics of InxGa1-xN quantum disks embedded in GaN nanocolumns
Autor: Holmes, M, a další
Vydáno: (2011)

Carrier dynamics of InxGa1-xN quantum disks embedded in GaN nanocolumns
Autor: Holmes, M, a další
Vydáno: (2011)

Free excitons with n=2 in bulk GaN
Autor: Steube, M, a další
Vydáno: (1997)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2002)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2002)

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1998)

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1998)

Dependence of GaN Exciton Energy on Temperature
Autor: Xiancheng Liu, a další
Vydáno: (2025-01-01)