Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies

Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Shields, P, Nicholas, R, Grandjean, N, Massies, J
বিন্যাস:	Journal article
প্রকাশিত:	2001

অনুরূপ উপাদানগুলি

Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
অনুযায়ী: Shields, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2002)

Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
অনুযায়ী: Bera, L. K., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)

Microstructural characterization of AlxGa1−xN/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates
অনুযায়ী: Aabdin, Zainul, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024)

Magneto-photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells
অনুযায়ী: Shields, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)

Valence hole subbands and optical gain spectra of GaN/Ga1-xAlxN strained quantum wells
অনুযায়ী: Li, M. F., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
অনুযায়ী: Park, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018)

Structural And Optical Studies Of Wide Band-Gap AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1) Semiconductors [TK7871.85. N577 2007 f rb].
অনুযায়ী: Ng, Sha Shiong
প্রকাশিত: (2007)

Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
অনুযায়ী: Tan, H, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1996)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
অনুযায়ী: Kyaw, Zabu, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)

Carrier dynamics of InxGa1-xN quantum disks embedded in GaN nanocolumns
অনুযায়ী: Holmes, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

Carrier dynamics of InxGa1-xN quantum disks embedded in GaN nanocolumns
অনুযায়ী: Holmes, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

The electrical characteristic of AlxGa1-xSb thin films /
অনুযায়ী: 451516 Law, Tien Shyang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
অনুযায়ী: Sun, Xiaowei, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
অনুযায়ী: Jiang, N, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012)

Free excitons with n=2 in bulk GaN
অনুযায়ী: Steube, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
অনুযায়ী: Zhang, Zi-Hui, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013)

Exciton binding energies and band gaps in GaN bulk crystals
অনুযায়ী: Reimann, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1998)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
অনুযায়ী: Kyhm, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2002)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
অনুযায়ী: Kyhm, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2002)

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN
অনুযায়ী: Hess, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1998)

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN
অনুযায়ী: Hess, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1998)

Topographical, compositional, and dopant contrast from cleavage surfaces of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices
অনুযায়ী: Castell, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1995)

Quantum beats of free and bound excitons in GaN
অনুযায়ী: Kyhm, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)

Quantum beats of free and bound excitons in GaN
অনুযায়ী: Kyhm, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
অনুযায়ী: Jiang, N, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012)

Picosecond photoluminescence intensity correlation measurements of hot carriers in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells
অনুযায়ী: de Paula, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994)

Optical studies on a single GaN nanocolumn containing a single InxGa1-xN quantum disk
অনুযায়ী: Holmes, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
অনুযায়ী: Bennett, SE, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Effects of Surface Recombination on Exciton Dynamics in GaN Nanorods
অনুযায়ী: Park, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009)

Studies of Gallium Nitride Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) and GaN Metal-Insulator-Semiconductor (GaN MISHEMT)
অনুযায়ী: Lau, Sien Hui
প্রকাশিত: (2020)

Photoluminescence properties of a single GaN nanorod with GaN/AlGaN multilayer quantum disks
অনুযায়ী: Yi, SN, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
অনুযায়ী: Oliver, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
অনুযায়ী: Duan, Tian Li, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization
অনুযায়ী: Park, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization.
অনুযায়ী: Park, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

p-GaN Platform for Next-Generation GaN Complementary Transistors and Circuits
অনুযায়ী: Xie, Qingyun
প্রকাশিত: (2024)

Vertical GaN-on-GaN Schottky diodes as α-particle radiation sensors
অনুযায়ী: Sandupatla, Abhinay, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020)

Studies of GaN-on-GaN vertical Schottky diodes for radiation sensing applications
অনুযায়ী: Sandupatla, Abhinay
প্রকাশিত: (2020)