Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Magnetophotoluminescence of Ga...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Shields, P
,
Nicholas, R
,
Grandjean, N
,
Massies, J
Format:
Journal article
Publicat:
2001
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
per: Shields, P, et al.
Publicat: (2002)
Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
per: Jing Cai, et al.
Publicat: (2024-03-01)
Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
per: Bera, L. K., et al.
Publicat: (2014)
Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
per: Chang Wan Ahn, et al.
Publicat: (2023-01-01)
Microstructural characterization of AlxGa1−xN/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates
per: Aabdin, Zainul, et al.
Publicat: (2024)