Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies

Podobné jednotky

• Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
  Autor: Shields, P, a další
  Vydáno: (2002)
• Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
  Autor: Jing Cai, a další
  Vydáno: (2024-03-01)
• Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
  Autor: Chang Wan Ahn, a další
  Vydáno: (2023-01-01)
• Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
  Autor: Bera, L. K., a další
  Vydáno: (2014)
• Microstructural characterization of AlxGa1−xN/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates
  Autor: Aabdin, Zainul, a další
  Vydáno: (2024)