Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies

Схожі ресурси

• Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
  за авторством: Shields, P, та інші
  Опубліковано: (2002)
• Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures
  за авторством: T. Scheinert, та інші
  Опубліковано: (2019-12-01)
• Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
  за авторством: Jing Cai, та інші
  Опубліковано: (2024-03-01)
• Insight into the physical mechanism of AlxGa1−xN electron blocking layer in GaN-based light emitting diodes
  за авторством: Juanli Zhao, та інші
  Опубліковано: (2018-10-01)
• Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
  за авторством: Bera, L. K., та інші
  Опубліковано: (2014)