Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices.
Projek ini bermula dengan pembikinan struktur GaAs (100) berliang menggunakan larutan punaran H2S04: DMF dengan nisbah optimum 1 :3. Liang yang berbentuk bulat dengan keseragaman tinggi telah diperolehi berbanding dengan larutan punaran lain. Sam pel GaAs berliang tersebut sepatutnya digunakan untuk...
Main Author: | |
---|---|
Format: | Monograph |
Published: |
Universiti Sains Malaysia
2016
|
Subjects: |