DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application

Gallium nitride is a promising wide bandgap semiconductor material for high-power, high temperature and high frequency device applications. However, there are still a number of factors that are limiting the material to reach a satisfactory device performance. Among them the most important and critic...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Munir, Tariq
Ձևաչափ: Թեզիս
Լեզու:English
Հրապարակվել է: 2011
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:http://eprints.usm.my/42797/1/TARIQ_MUNIR.pdf