Effect of Facile p-Doping on Electrical and Optoelectronic Characteristics of Ambipolar WSe2 Field-Effect Transistors

Effect of Facile p-Doping on Electrical and Optoelectronic Characteristics of Ambipolar WSe2 Field-Effect Transistors

Abstract We investigated the electrical and optoelectronic characteristics of ambipolar WSe2 field-effect transistors (FETs) via facile p-doping process during the thermal annealing in ambient. Through this annealing, the oxygen molecules were successfully doped into the WSe2 surface, which ensured...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Junseok Seo, Kyungjune Cho, Woocheol Lee, Jiwon Shin, Jae-Keun Kim, Jaeyoung Kim, Jinsu Pak, Takhee Lee
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: SpringerOpen 2019-09-01
Շարք:Nanoscale Research Letters
Խորագրեր:
WSe2
Ambipolar field-effect transistors
p-doping
Electrical characteristics
Optoelectronic characteristics
Առցանց հասանելիություն:http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-019-3137-1

Համացանց

http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-019-3137-1

Նմանատիպ նյութեր