Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging

Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging

Показати інші версії (1)

Бібліографічні деталі
Автори:	Castell, M, Simpson, T, Mitchell, I, Perovic, D, Baribeau, J
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1999

Схожі ресурси

Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
за авторством: Castell, M, та інші
Опубліковано: (1999)

Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
за авторством: Castell, M, та інші
Опубліковано: (1999)

Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
за авторством: Verena Steckenreiter, та інші
Опубліковано: (2017-03-01)

Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
за авторством: Derbouz K., та інші
Опубліковано: (2013-09-01)

The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
за авторством: Gadiyak, G.V., та інші
Опубліковано: (1994-06-01)

Argon Precursor Ion Implantation Used to Activate Boron Atoms in Silicon at Low Temperatures
за авторством: Toshiyuki Sameshima, та інші
Опубліковано: (2020-01-01)

Electronic contribution to secondary electron compositional contrast in the scanning electron microscope
за авторством: Castell, M, та інші
Опубліковано: (1997)

Deactivation of metastable single-crystal silicon hyperdoped with sulfur
за авторством: Krich, Jacob J., та інші
Опубліковано: (2015)

Synthesis and Modification of Boron Nitride nanotubes using ion implantation
за авторством: L.I. Lisema, та інші
Опубліковано: (2024-07-01)

Aging Processes in Films of Iron-Yttrium Garnet Implanted by Boron Ions
за авторством: I. P. Yaremiy, та інші
Опубліковано: (2019-04-01)

THE ELASTIC PROPERTIES OF ION-IMPLANTED SILICON
за авторством: Burnett, P, та інші
Опубліковано: (1986)

Ion implantation in semiconductors : silicon and germanium/
за авторством: Mayer, James W., 1930-, та інші
Опубліковано: (1970)

Mechanical and Structural Properties of Fluorine-Ion-Implanted Boron Suboxide
за авторством: Ronald Machaka, та інші
Опубліковано: (2012-01-01)

MODEL OF BORON CLUSTERING IN SILICON
за авторством: O. I. Velichko
Опубліковано: (2019-06-01)

Modelling of cylinder deactivation engine [electronic resource] /
за авторством: Mohd. Fadziel Mohamad Nor, 1992-, та інші
Опубліковано: (2015)

Ultrafast Electronic Deactivation Dynamics of Xanthosine Monophosphate
за авторством: Katharina Röttger, та інші
Опубліковано: (2017-01-01)

Hydrides of boron and silicon/
за авторством: 206407 Stock, Alfred Eduard
Опубліковано: (1933)

Quantitative imaging of semiconductor doping distributions using a scanning electron microscope
за авторством: Perovic, D, та інші
Опубліковано: (1998)

Silicon technologies : ion implantation and thermal treatments /
за авторством: Baudrant, Annie
Опубліковано: (2011)

Nanoclustering in Silicon Induced by Oxygen Ions Implanted
за авторством: D. Manno, та інші
Опубліковано: (2011-11-01)

Deactivation of catalysts/
за авторством: 312802 Hughes, R.
Опубліковано: (1984)

Catalyst deactivation/
за авторством: Petersen, Eugene E., та інші
Опубліковано: (1987)

Catalyst deactivation/
за авторством: Delmon, Bernard, та інші
Опубліковано: (1980)

{111} and {311} rod-like defects in silicon ion implanted silicon
за авторством: Chou, C, та інші
Опубліковано: (1996)

{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon.
за авторством: Chou, C, та інші
Опубліковано: (1995)

Combined structural and functional imaging reveals cortical deactivations in grapheme-colour synaesthesia
за авторством: Erik eO'Hanlon, та інші
Опубліковано: (2013-10-01)

The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
за авторством: Małgorzata Kalisz, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Enhancing Hydrogen Diffusion in Silica Matrix by Using Metal Ion Implantation to Improve the Emission Properties of Silicon Nanocrystals
за авторством: J. Bornacelli, та інші
Опубліковано: (2014-01-01)

Evaluation of a clinical method for selective electrode deactivation in cochlear implant programming
за авторством: Sarah E. Warren, та інші
Опубліковано: (2023-03-01)

Patient perceptions of implantable cardioverter-defibrillator deactivation discussions: A qualitative study
за авторством: Jane MacIver, та інші
Опубліковано: (2016-04-01)

Postural stability at activation and deactivation of the cochlear implant in adolescents with late lateral implantations: a quasi-experiment
за авторством: Anna Zwierzchowska, та інші
Опубліковано: (2024-07-01)

Turning the optical properties of microcrystalline diamond films by boron ion implantation and annealing
за авторством: Dan Dai, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

Ion implantation in silicon to facilitate testing of photonic circuits
за авторством: Reed, Graham T., та інші
Опубліковано: (2019)

Ion-implantation and analysis for doped silicon slot waveguides
за авторством: McCallum J. C., та інші
Опубліковано: (2012-10-01)

Influence of Boron Diffusion on Photovoltaic Parameters of n+-p-p+ Silicone Structures and Based Photodetectors
за авторством: Mykola S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2024-11-01)

Room-temperature near-infrared electroluminescence from boron-diffused silicon pn junction diodes
за авторством: Si eLi, та інші
Опубліковано: (2015-02-01)

Catalyst deactivation : 1991/
за авторством: Bartholomew, Calvin H., та інші
Опубліковано: (1991)

Deactivation and poisoning of catalysts/
за авторством: Oudar, Jacques, та інші
Опубліковано: (1985)

Interpreting deactivations in neuroimaging
за авторством: Dave J Hayes, та інші
Опубліковано: (2012-02-01)

A new approach in deactivation analysis : effects of coke loading on diffusivity and acidic properties /
за авторством: Abdul Rahman Songip